图片仅供参考,产品以实物为准
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 6.22 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 80000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 130@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-252 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | P |
| 包装长度 | 6.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 2.3 |
| 最大连续漏极电流 | 18.6 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 连续漏极电流 | 18.6 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 80 W |
| 漏源导通电阻 | 0.13 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-252 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 4 V |
| 宽度 | 6.22 mm |
| Qg - Gate Charge | 33 nC |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 下降时间 | 11 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 P-Channel |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 4 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 18.6 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 24.5 ns |
| 系列 | XPD18P06 |
| 身高 | 2.3 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 80 W |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 技术 | Si |
SPD18P06PGBTMA1也可以通过以下分类找到
SPD18P06PGBTMA1相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家